“目前，干法刻蚀工艺主要是离子铣刻蚀、等离子刻蚀和反应离子刻蚀三种方案。”

“而这三种方案，离子铣刻蚀最为简单，可控性也比较高，技术成熟度也很高，相关的专利其实也已经被申请的差不多了，想要弯道超车，避开西方的专利壁垒，这个方案非常的难。”

“除此之外，这个方案也有技术本身的缺点，那就是刻蚀选择性极差，必须采用专门的刻蚀终点检测技术，并且刻蚀速率也比较低，性比价相当低。”

“而等离子刻蚀，虽然通过选择和控制放电气体的成分，可以得到较好的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率，但是刻蚀精度却并不高，一般只能运用在大于4-5微米线条的工艺之中。”

“而我们实验里正在进行的项目，就是王总设计的反应离子刻蚀方案！”

陈凌岳一边介绍着，一边带着尹之耀等人朝着刻蚀方案项目区域而去。

听到陈凌岳这么介绍，尹之耀的神情并没有多大的变化。

论文他已经看过了，虽然有些吃惊王东来的动作迅速，直接就在自己的实验室进行验证，但如果只是这样的话，也只能算是一般，中规中矩。

尹之耀的心里想法，其实不仅是王东来能看出来，陈凌岳也能看出来。

一路无话，很快就到了地方。

作为刻蚀行业沉浸几十年的大佬，尹之耀心里不断地评价着这座实验室。

“看来银河科技还是很舍得在这方面投入的！”

等到见到实验项目的时候，尹之耀就变得无比认真起来。

眼睛一眨不眨地看着仪器。

现代的干法刻蚀设备包括复杂的机械、电气和真空装置，同时还配备有自动化的刻蚀终点检测和控制装置，价格昂贵，很少有实验室会完全配备。

而现在，尹之耀的面前就有这些仪器。

这些仪器，目前也经过人为的修理调整，用来验证王东来的反应离子刻蚀方案。

说实话，这些仪器如果不是陈凌岳加入银河科技的话，恐怕还需要大半年的时间甚至更长时间才能凑齐。

至于反应离子刻蚀的原理倒也算简单。

这种刻蚀过程同时兼具物理和化学两种作用，辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行，硅片处于阴极电位，放电时的电位大部分降落在阴极附近，大量带电粒子受垂直于硅片表面的电场加速，垂直入射到硅片表面上，以较大的动量进行物理刻蚀，同时它们还与薄膜表面发生强烈的化学反应，产生化学刻蚀作用。

选择合适的气体组分，不仅可以获得理想的刻蚀选择性和速度，还可以使活性基团的寿命短，这就有效地抑制了因这些基团在薄膜表面附近的扩散所能造成的侧向反应，大大提高了刻蚀的各向异性特性。

反应离子刻蚀也是超大规模集成电路工艺中很有发展前景的一种刻蚀方法。 本章未完，请点击下一页继续阅读！ 第1页/共4页