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第六章 时代造成的技术落差

热屏障!

这是一个多么简单的设想!

是的,它绝对不是什么高科技,蕴含的技术含量还不如单晶炉外壳,可它是一个极其绝妙的点子。仅仅加了一个热屏障,就解决了他们费时费力,在单晶硅制备中也很难解决的大部分难题。

他们在欣喜之余,也都极感懊恼。

这样一个并非技术突破,而只是一个灵光一现的想法,他们怎么会没有想到呢,居然被美国一家公司给抢先发明了出来,并申请了专利!对他们而言,这可是严重失职!

郭逸铭停下说话,安静地等待他们平静下来。

早期的单晶炉都是敞口式设计,底部熔炼区产生的热气弥漫于单晶炉,热气蒸腾,硅晶棒处于持续加热状态,结晶困难,因而加大了制备难度。同时表层晶体反复融化,也造成了硅晶棒成品率降低,外圈坏点增多。

历史上,的确是美国率先发明了热屏,在熔炼区上方增加了一个屏罩,取得了立竿见影的效果。热量被束缚在熔炼区,减小了对提升的硅晶棒造成的影响,硅晶元的制取成功率立即得到了数量级提升。

而我国由于受到国际封锁,得不到最新技术,也无法进口先进设备。所从事的半导体材料制备研究,几乎都是源自于对西方技术书籍的参考,照猫画虎,对其进行复原。在这些书籍中,只有基本的原理草图,对于此后的改进只字不提,当然是进步缓慢。

事实上,直到九十年代,我们在进口日本的单晶炉的时候,日本人还是将没有热屏的单晶炉出口到中国,试图以此来误导国内半导体材料制备,继续在错误的方向上前行。

郭逸铭作为一名材料系学生,又在材料应用研究所实际工作十多年,这样的缺憾听了不知多少。学校导师、实验室前辈,都曾对他们谆谆教导,让他们记住前人在这上面走过的弯路,吃过的亏,明白中国科学进步,付出了多少惨重的代价。

因此在事业起步的第一步,他便毫不犹豫选择申请了这项专利。

技术简单,成本低廉,但效果极其突出,根本和高科技毫不沾边,就是一个想法而已。这完全就是为一无所有的他,量身定做的最佳突破口。

他等到三位老科学家苦涩地平静下来,才继续说道:“这种热屏具有以下几个优点:一,在增加了我们公司设计的热屏以后,热量受到束缚,硅晶棒的增长速度可以得到有效提升,据测算,一炉单晶棒正常情况下需要一周的生长时间,而在加了热屏以后,在其他条件相同的状况下,单晶棒的生长期可以缩短到三天!”

“三天!”

所有人都无法镇定了,三位老科学家已经从椅子里站了起来,他们知道这项技术好,但没想到好到这种程度。就连对技术一窍不通的舒雨菲也惊呼出声。她知道这家美国公司的出现,大概会给国内半导体科学的发展,带来益处,但也没想到,这个好处竟然如此之大,令她感到头脑有些眩晕。 本章未完,请点击下一页继续阅读! 第2页/共5页

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