他来的路上，打了一肚皮官司，为如何与对方周旋拟定了几种态度。却怎么也没想到，对方找他，并不是要求他为某个单位的技术专利申请开后门，或是别的什么事，而是请他鉴定一下材料所新研发的半导体内存。

材料所也想搞内存？

他脑子里一激灵，脸上的笑意依然，大脑却飞速运转起来。

这倒有趣了。

他这边还在想着跑到日本去，从日本的盘子里抢饭吃。奥尔森被他一鼓动，直接想砸了人家的饭碗。这边国内却又动了心思，也想在半导体内存这块分一杯羹，这个局面和历史中完全不一样了，可以说是彻底乱了套。

他在这边思索，董老把他正在看的那份资料，递了过来，并从兜里取出一枚窄长形状的集成电路，放在他面前。

“这是我们研发的4K动态随机存储器芯片，采用的是我们自主研发的电容存储电路。ｎｉｕｂｂ牛bb◇小說閱讀網芯片采用译码器、存储阵列、读写电路、缓冲器构成。因为我们的集成度不够，对译码电路进行了重新设计，采用了树状译码电路，大大降低了电路中晶体管的数量。所付出的代价是速度降低，为此我们又加大了缓冲器，以获得一个相对满意的数据存储速度。

存储电路我们从自身出发，没有采用经典的六管电路，而是大胆研发了一款三管电路。阵列为2的12次方，共4096个存储单元，8位数据线。由于是动态存储，需要多次刷新数据，这点不如静态随机存储器，延迟时间差不多是静态随机存储器的4倍左右。

不过动态存储电路所需的元器件远少于静态存储器，以我们现在的半导体制造能力来说，采用这种存储电路方式，可以达到与日本方面同样的存储容量，还是值得的。”

他的话，清晰地表明了材料所研发的这款动态存储器，所针对的目标，居然也是日本半导体内存生产商。

郭逸铭对他们如此具有针对性的研发，很是讶然。

“你们是以日本半导体内存，为研发对象的？”他眉毛扬了扬，问道。

既然要他提供参考意见，他当然先要搞清楚对方为什么要这样做，研发的目的何在，才能准确地给出判断意见。

所谓的动态存储器，不就是DRAM嘛！

严格说来，动态存储器的性能不是很好。由于电容不能长时间存储电流，64毫秒就会失去电流信号，因此至少每64毫秒就必须刷新一次。而在实际使用中，电流的不稳定性，常常会导致数据丢失，所以最好每读写一次就进行一次刷新。这就使得DRAM的延迟时间，大大高于使用晶体管存储阵列的SRAM。

它最大的好处是集成的元器件少，大约只有SRAM的四分之一，从而降低了制造成本。 本章未完，请点击下一页继续阅读！ 第2页/共5页