下午的会议，郑振川就没有再参加了。

但远芯对半导体行业的讨论仍然在继续。

“过去十几年，我们一直在和intel比工艺，截止去年，我们都已经走到了成熟的45nm节点上。”张汝金戴上了老花镜，瞥了一眼手中的文件，脸上是不甚唏嘘的感慨：“不得不说, intel还是很厉害的，我们每次有领先，他们总是能够及时的追上来甚至还能反超。”

“摩尔定律就是这么实现的。”苏远山笑着补充了一句。

“是啊，但今年我们可以提前一大步了。”张汝金笑呵呵地望向众人，但主要的视线还是停在苏远山的脸上。

毕竟，这与会的多人里，还是苏远山对半导体工艺理解得最深刻。

“最迟年中，我们就可以推出基于22nm的finfet工艺, 把晶圆的晶体管密度再上一个台阶。而且我们目前的DE技术已经成熟，目前正在向SADP技术转移，从技术的角度，是可以支撑我们的工艺在DUV的条件下把制程继续往下探，或者说，等效制程往下探。”

//DE（double exposure，双重曝光），SADP（self-aligned double patterning自对准双重成像）

“如果intel跟不上，那这将会是一次巨大的领先！”张汝金红光满脸，终于忍不住有些激动起来：“制程进入到22nm之后，finfet将会是唯一的选择，最起码目前是。”

在场的众人并不是每个人都对半导体工艺有理解, 见到身边的周小慧露出迟疑的神色，苏远山就轻轻咳了一声，笑着替她解释道：“目前的电脑芯片一直采用mosfet结构, 嗯……准确的说, 是NPN结构……”

见周小慧还是有些不懂，苏远山便放弃了解释, 直接道：“反正就是, 我们以前所说的制程就是指的mosfet结构中的沟道长度。沟道越短，电阻越小，性能越高，同时晶体管密度也就越大，所以才要不断提升制程。”

“哦？然后呢？”

“然后就是如果还是沿用以前mosfet结构的话，当沟道长度越来越短，譬如22nm之后，源极和漏极之间也会越来越近，电场也越来越近。”苏远山说着伸出双手靠近，然后把自己的笔记本放在手上：“我的两只手就是源极和漏极，电流从源极流入，漏极流出，并产生电场，当它们距离过近，就会干扰到上面的栅极，从而漏电——我们把这个效应称为短沟道效应。”

“而finfet结构就是为了解决这个问题而诞生的，甚至还因为它的结构是把晶体管竖了起来——譬如我竖起了手掌——从而可以获得更高的晶体管密度之外, 还能很好地解决短沟道效应。所以, 从目前来看，22nm是今后高性能芯片是否采用finfet结构的一个分水岭。” 本章未完，请点击下一页继续阅读！ 第1页/共2页